低压降二极管降低顺向压降的工艺原理:
低压降二极管工作原理：该二极管采用芯片表面沟槽工艺技术使平整的芯片表面形成很多小凹坑，从而增大芯片P面表面积增大通流量降低顺向电压值。
低压降二极管工作工程：电流通过二极的正极（P面）流通负极面，因为使用的沟槽技术，所以芯片P面的表面积大于普通平面芯片的表面积；根据电流流通原理同等材质下截面积越大的通流越强，根据功率计算方法（功率=电压*电流）的情况下，通流增大后所以电压值会降低。
低压降肖特基二极管跟常规肖特基二极管相比，在同样的通流情况下。低压降二极管顺向电压更低，根据功耗=电压*电流，所以电压降低后功耗也会降低。这样该产品应用于电源转换中会会更低的功耗，从而产生更高的转换效率。
低压降二极管在实际应用中的效果：例如：一款电源5V，1A的5W电源，排除其他功耗元器件的损耗。传统SS34的顺向压降约为0.55V左右，可以计算出该肖特基二极管的无效能耗微0.55*1=0.55W，所以该电源的转换效率为89%，而SS34L的顺向工作电压为0.45V左右，可以计算出该LOW VF肖特基二极管的无效能耗为0.45*1=0.45W，所以该电源的转换效率为91%，可以将电源的转换率提高2%！